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[发明专利]钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及应用-CN202211085287.3有效
发明人：罗进;周晋锋;吕忆农;刘云飞 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及其应用，通过溶胶‑凝胶法在钛酸锶铋基中引入钛酸钡铁电材料，提高材料的介电常数以及致密度，进而提高材料的储能性能，在此基础上，结合引入Mn元素，使得材料的击穿场强提升，使材料的P‑E曲线变得纤细，大大提高了钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜的储能密度和储能效率，在不同电场下都能保持高储能密度和高储能效率。
钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜制备方法应用

[发明专利]一种高能量密度的钛酸锶钡基介电薄膜电容器及其制备方法-CN202011333923.0在审
发明人：娄晓杰;朱孝培 -专利权人：西安潜龙环保科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及介电薄膜储能领域，具体公开的一种高储能密度的无铅钛酸锶钡基介电薄膜电容器，按照介电电容器的结构组成依次分为：薄膜沉积用衬底材料，厚度为20‑60nm的氧化物底电极过渡层材料，不同Ba/Sr比的本发明所采用的介电薄膜材料为环境友好型无铅BaxSr1‑xTiO3基材料，制备的钛酸锶钡基介电薄膜电容器储能密度高，击穿强度大，具有优异的温度稳定性和耐疲劳特性，原材料价格低廉易得，有利于大规模商业应用本发明还公开了上述无铅钛酸锶钡基介电薄膜电容器的制备方法。
一种高能量密度钛酸锶钡基介电薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法-CN201811179291.X有效
发明人：董显林;黄伟;陈莹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法，所述钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Ba0.55Sr
一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于相变调控提升温度稳定性的钛酸锶钡-钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法及其产品-CN202310012776.4在审
发明人：沈宗洋;石旭海;王竹梅;李志鹏;骆雯琴;宋福生;李月明 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变调控提升温度稳定性的钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法及其制得的产品，在钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷材料中，通过掺杂的三价Bi3+取代ABO3钙钛矿型结构中的A位离子(二价Sr2+和Ba2+)，并且通过施加电场和升温的极化预处理实现不可逆相变过程，从而实现温度稳定性的大幅提升，并且保留钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷的高介电常数和在低场强下的高储能特性，在高温陶瓷电容器领域具有良好的应用前景。本发明制备方法原料中不含铅、稀土和贵金属元素，降低了生产成本，并且满足环境友好型社会发展要求，适合于工业化生产，有利于促进新型无铅储能电介质陶瓷的进步和发展。
一种基于相变调控提升温度稳定性钛酸锶钡钛酸铋钠基陶瓷材料制备方法及其产品

[发明专利]一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法-CN201710093715.X有效
发明人：杨海波;闫非;林营;高淑雅;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法，首先按照化学式(1‑x)SrTiO3‑x(0.65BaTiO3)进行配料，其中x表示摩尔分数，且0.1≤x≤0.6；经球磨、干燥后获得原料粉体；将获得的原料粉体加入粘合剂进行造粒，陈腐24～48小时后，压制成片，排胶处理后在1250～1350℃下烧结，即可得到钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料本发明的陶瓷材料制备工艺简单、稳定，适合工业化生产，其储能特性优良，基于电滞回线计算的储能密度在0.961～1.403J/cm3之间，储能效率在84.77～91.63
一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202010326200.1在审
发明人：庞利霞;周陈;周迪;刘卫国;张磊;王欣;纪红芬;邓立儿 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法和应用，属于储能陶瓷材料技术领域。本发明提供的钛酸锶钡基陶瓷材料，化学组成为(1‑x)Ba0.8Sr0.2TiO3钛酸锶钡基陶瓷材料具有高储能密度和储能效率。实施例的结果显示，本发明提供的钛酸锶钡基陶瓷材料具有高的介电弛豫性和抗击穿电场，可以获得细长的电滞回线；在250kV/cm的外加电场下，本发明中钛酸锶钡基陶瓷材料的有效储能密度为2.028J/cm3，同时储能效率达到96.8％。
一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202111193216.0在审
发明人：周志勇;夏燃;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷的化学组成为Sr2‑xNb2O
一种铌酸锶基钙钛矿层结构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能钛酸锶钡/PVDF基聚合物复合材料及其制备方法-CN202210954637.9在审
发明人：胡欣;陆春华;张慧;朱宁;房正刚;方亮;李旸 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C08L51/00 文献下载
摘要：发明公开了一种高储能钛酸锶钡/PVDF基聚合物复合材料及其制备方法。钛酸锶钡填料包括钛酸锶钡纳米颗粒与钛酸锶钡纳米线，以硅烷偶联剂KH550改性，在钛酸锶钡表面引入氨基，使之同时具有高介电填料与交联剂功能。PVDF基聚合物通过无金属有机催化原子转移自由基聚合反应，引入聚甲基丙烯酸缩水甘油酯链段。将含端氨基的改性钛酸锶钡与具有PGMA链段的PVDF基聚合物进行复合，形成交联网络状结构，得到的复合材料产生电子势阱，可以有效抑制材料漏导电流、提高击穿场强，同时抑制介电损耗，介电损耗可降低至0.05左右
一种高储能钛酸锶钡 pvdf 聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡掺杂的锆钛酸钡钙基压电陶瓷材料及制备方法-CN201710445622.9有效
发明人：杨祖培;陈晓芳;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡掺杂的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)(Ba0.85Ca0.15储能性较好以及实用性强、纯度高、易于生产的钛酸锶钡掺杂的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷材料，制备方法简单、重复性好、成品率高。
钛酸锶钡掺杂钛酸钡压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器-CN201810713410.9在审
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；以钛酸锶作为靶材，采用磁控溅射方法在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；对沉积有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理，得到钛酸锶薄膜；以及在所述钛酸锶薄膜上形成电极层，得到柔性储能薄膜。该储能薄膜采用钛酸锶材料，通过该制备方法实现储能薄膜的柔性化，同时还使储能薄膜具有高介电常数、低介电损耗、高击穿场强和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
储能钛酸锶薄膜薄膜柔性金属衬底制备薄膜电容器预制层沉积低介电损耗电介质材料高介电常数钛酸锶材料热处理磁控溅射击穿场强电极层高储能柔性化钛酸锶靶材

[发明专利]高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202211726940.X在审
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜，化学通式为：0.9212(Bi0.5Na0.5)TiO高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取硝酸铋、乙酸钠、乙酸钡、乙酸镧、乙酸锶溶于乙酸，制得第一溶液；步骤S2，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取乙酰丙酮、钛酸四丁酯、四水合乙酸锰溶于乙二醇甲醚，制得第二溶液；步骤S3，将第一溶液和第二溶液混合得到混合溶液，调整混合溶液的浓度和酸碱度，制得前驱体溶液；步骤S4，清洗基片，并将基片吹干；步骤S5，将前驱体溶液涂覆在基片上，制备得到高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。
高电致应变钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸锶掺杂改性钛酸铋钠基储能陶瓷材料及其制备方法-CN202010875275.5有效
发明人：戴中华;张文婧;张凡博;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸锶掺杂改性钛酸铋钠基储能陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域；该铌镁酸锶掺杂改性的钛酸铋钠基储能陶瓷材料的配方为：(1‑x)(Bi0.5储能陶瓷本发明方法制得的储能陶瓷能够在较高的击穿场强(140KV/cm)下获得1.59J/cm3的可回收储能密度；且具有成本低、产量大、制备工艺简单及绿色环保等优点，有可能成为无铅储能电容器材料的重要候选材料
一种铌镁酸锶掺杂改性钛酸铋钠基储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法-CN202010407991.0在审
发明人：郝喜红;孟祥俊;李雍;赵烨 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法，该低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料的化学组成通式为：(Pb0.94La0.04钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料可以在1100‑1300℃温度范围内烧结，且本发明制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料在室温条件下兼备高相变电场、高击穿电场、高极化强度的特点，并能够具有非常高的储能密度和储能效率，弥补了传统法制备锆酸铅基反铁电陶瓷材料相变电场低、击穿电场低、储能密度低的技术缺陷，拓宽了其在高功率储能材料领域的研发和应用。
高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铪钛酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202110493520.0在审
发明人：唐华;孟祥;程江;李璐 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种铪钛酸铅基反铁电陶瓷材料，其特征在于：采用金属元素镧A（La）部分取代铪钛酸铅中的铅（Pb），以锡（Sn）部分取代铪（Hf），元素B再部分取代铅，其化学式为[(Pb1‑wy)1‑xTix]O3，其中B为钡（Ba）和锶（本发明中制备的铪钛酸铅基反铁电陶瓷块状材料，微观组织结构致密、缺陷少，各成分分布均匀、没有成分偏聚，具有优异的储能密度，储能密度达到5J/cm3，放电脉冲功率达到1MW/cm3，高的击穿电场、击穿电场达到250~300kV/cm，介电损耗小，材料性能稳定。
一种铪钛酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能、高效率的铁酸铋-钛酸锶陶瓷及制备方法-CN202210087139.9在审
发明人：蒲永平;张金波;张贤;宁亚婷;上阳超;张磊 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高储能高效率的铁酸铋‑钛酸锶陶瓷及制备方法。本发明提供的0.6BiFeO3‑0.4SrTiO3‑xwt％MnO2无铅反铁电体陶瓷材料，有效的抑制了Bi的挥发和解决了铁酸铋基陶瓷容易出现第二相和烧结不致密的问题，在理论上能够保证具有较好的储能性能，且制备工艺简单，重复性较好，绿色环保，提供了一种新的无铅的储能材料基体。
一种高储能高效率铁酸铋钛酸锶陶瓷制备方法

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